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NTLJF4156N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1000
800
V DS = V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
V DS
QT
V GS
18
15
12
600
3
400
200
0
C rss
C iss
C oss
2
1
0
Q GS
Q GD
I D = 2.0 A
T J = 25 ° C
9
6
3
0
5
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2 3
4
5
6
V GS
V DS
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
Figure 8. Gate?To?Source and Drain?To?Source
Voltage versus Total Charge
3
V DD = 15 V
I D = 2.0 A
V GS = 4.5 V
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
100
10
1
t d(off)
t f
t r
t d(on)
2
1
0
T J = 25 ° C
1
10
100
0.3
0.6
0.9
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
100
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
10
1
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
See Note 2 on Page 1
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
0.1
R DS(on) LIMIT
0.01
0.1
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
dc
100
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
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